Produktdetaljer
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Atributo del producto | Valor de atributo |
Fabrikation: | onsemi |
Produktkategori: | MOSFET |
RoHS: | Detaljer |
Teknologi: | Si |
Estilo de montaje: | SMD/SMT |
Paquete / Cubierta: | SSOT-6 |
Polaridad af transistor: | N-kanal |
Numero de canales: | 1 kanal |
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 30 V |
Id - Corriente de drenaje continua: | 8 A |
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 16 mOhm |
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 1,2 V |
Qg - Carga de puerta: | 18 nC |
Minima temperatur: | -55 C |
Temperature de trabajo Maxima: | + 150 C |
Dp - Disipación de potentiale : | 800 mW |
Modo kanal: | Forbedring |
Kommerciel navn: | PowerTrench |
Empaquetado: | Spole |
Empaquetado: | Klip tape |
Empaquetado: | Musehjul |
Mærke: | onsemi / Fairchild |
Konfiguration: | Enkelt |
Altura: | 1,1 mm |
Længdegrad: | 2,9 mm |
Produkttype: | MOSFET |
Serie: | FDC8878 |
Cantidad de empaque de fabrica: | 3000 |
Underkategori: | MOSFET'er |
Type af transistor: | 1 N-kanal |
Ancho: | 1,6 mm |
Peso de la unidad: | 0,001270 oz |
Tidligere: FDN335N MOSFET SSOT-3 N-CH 20V Næste: TLV70218DBVR LDO Spændingsregulatorer 300mALow IQLDO Reg.