FDD86102LZ MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

Kort beskrivelse:

Producenter: ON Semiconductor
Produktkategori: Transistorer – FET'er, MOSFET'er – Enkelte
Datablad:FDD86102LZ
Beskrivelse: MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
RoHS-status: RoHS-kompatibel

Send e-mail til os

Produktdetaljer

Produkt Tags

♠ Produktbeskrivelse

Atributo del producto	Valor de atributo
Fabrikation:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET
RoHS:	Detaljer
Teknologi:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3
Polaridad af transistor:	N-kanal
Numero de canales:	1 kanal
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	42 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	31 mOhm
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	26 nC
Minima temperatur:	-55 C
Temperature de trabajo Maxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potentiale :	54 W
Modo kanal:	Forbedring
Kommerciel navn:	PowerTrench
Empaquetado:	Spole
Empaquetado:	Klip tape
Empaquetado:	Musehjul
Mærke:	onsemi / Fairchild
Konfiguration:	Enkelt
Transconductancia hacia delante - Mín.:	31 S
Altura:	2,39 mm
Længdegrad:	6,73 mm
Produkttype:	MOSFET
Serie:	FDD86102LZ
Cantidad de empaque de fabrica:	2500
Underkategori:	MOSFET'er
Type af transistor:	1 N-kanal
Ancho:	6,22 mm
Peso de la unidad:	0,011640 oz