IPD50N04S4-08 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
♠ Produktbeskrivelse
| Produktattribut | Attributværdi |
| Fabrikant: | Infineon |
| Produktkategori: | MOSFET |
| Teknologi: | Si |
| Monteringsstil: | SMD/SMT |
| Pakke / Etui: | TO-252-3 |
| Transistorpolaritet: | N-kanal |
| Antal kanaler: | 1 kanal |
| Vds - Drain-Source-gennembrudsspænding: | 40 V |
| Id - Kontinuerlig drænstrøm: | 50 A |
| Rds On - Drain-Source Modstand: | 7,2 mOhm |
| Vgs - Gate-Source spænding: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source tærskelspænding: | 2 V |
| Qg - Gate-opladning: | 22,4 nC |
| Minimum driftstemperatur: | - 55 grader Celsius |
| Maksimal driftstemperatur: | + 175 grader |
| Pd - Effekttab: | 46 W |
| Kanaltilstand: | Forbedring |
| Kvalifikation: | AEC-Q101 |
| Handelsnavn: | OptiMOS |
| Emballage: | Hjul |
| Emballage: | Skær bånd |
| Emballage: | MouseReel |
| Mærke: | Infineon Technologies |
| Konfiguration: | Enkelt |
| Efterårstid: | 6 ns |
| Højde: | 2,3 mm |
| Længde: | 6,5 mm |
| Produkttype: | MOSFET |
| Opstigningstid: | 7 ns |
| Serie: | OptiMOS-T2 |
| Fabrikspakke antal: | 2500 |
| Underkategori: | MOSFET'er |
| Transistortype: | 1 N-kanal |
| Typisk forsinkelsestid for sluk: | 5 ns |
| Typisk tændingsforsinkelse: | 5 ns |
| Bredde: | 6,22 mm |
| Del # Aliaser: | IPD5N4S48XT SP000711450 IPD50N04S408ATMA1 |
| Enhedsvægt: | 0,011640 oz |
• N-kanal – Forbedringstilstand
• AEC-kvalificeret
• MSL1 op til 260°C peak reflow
• 175 °C driftstemperatur
• Grønt produkt (RoHS-kompatibelt)
• 100% lavinetestet
