MBT3904DW1T1G Bipolære transistorer – BJT 200mA 60V Dual NPN
♠ Produktbeskrivelse
| Produktegenskab | Attributværdi |
| Fabrikant: | onsemi |
| Produktkategori: | Bipolære transistorer - BJT |
| RoHS: | detaljer |
| Monteringsstil: | SMD/SMT |
| Pakke/etui: | SC-70-6 |
| Transistor polaritet: | NPN |
| Konfiguration: | Dobbelt |
| Samler-emitterspænding VCEO Max: | 40 V |
| Samler-basisspænding VCBO: | 60 V |
| Emitter-basisspænding VEBO: | 6 V |
| Samler-emitter-mætningsspænding: | 300 mV |
| Maksimal DC-kollektorstrøm: | 200 mA |
| Pd - Effekttab: | 150 mW |
| Få båndbredde produkt fT: | 300 MHz |
| Minimum driftstemperatur: | -55 C |
| Maksimal driftstemperatur: | + 150 C |
| Serie: | MBT3904DW1 |
| Emballage: | Spole |
| Emballage: | Klip tape |
| Emballage: | Musehjul |
| Mærke: | onsemi |
| Kontinuerlig samlestrøm: | - 2 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 40 |
| Højde: | 0,9 mm |
| Længde: | 2 mm |
| Produkttype: | BJT'er - Bipolære transistorer |
| Fabrikspakkemængde: | 3000 |
| Underkategori: | Transistorer |
| Teknologi: | Si |
| Bredde: | 1,25 mm |
| Del # Aliaser: | MBT3904DW1T3G |
| Enhedsvægt: | 0,000988 oz |
• hFE, 100−300 • Lav VCE(sat), ≤ 0,4 V
• Forenkler kredsløbsdesign
• Reducerer bordplads
• Reducerer antallet af komponenter
• Tilgængelig i 8 mm, 7−tommer/3.000 enheder tape og rulle
• S- og NSV-præfiks til biler og andre applikationer, der kræver unikke krav til sted- og kontrolændringer;AEC−Q101 kvalificeret og PPAP-kompatibel
• Disse enheder er Pb−fri, Halogenfri/BFR-fri og er RoHS-kompatible
