NCV8402ASTT1G MOSFET 42V 2.0A
♠ Produktbeskrivelse
Produktattribut | Attributværdi |
Fabrikant: | onsemi |
Produktkategori: | MOSFET |
RoHS-kode: | Detaljer |
Teknologi: | Si |
Monteringsstil: | SMD/SMT |
Pakke / Etui: | SOT-223-3 |
Transistorpolaritet: | N-kanal |
Antal kanaler: | 1 kanal |
Vds - Drain-Source-gennembrudsspænding: | 42 V |
Id - Kontinuerlig drænstrøm: | 2 A |
Rds On - Drain-Source Modstand: | 200 mOhm |
Vgs - Gate-Source spænding: | - 14 V, + 14 V |
Vgs th - Gate-Source tærskelspænding: | 1,3 V |
Qg - Gate-opladning: | - |
Minimum driftstemperatur: | - 40 grader Celsius |
Maksimal driftstemperatur: | + 150°C |
Pd - Effekttab: | 1,7 W |
Kanaltilstand: | Forbedring |
Kvalifikation: | AEC-Q101 |
Emballage: | Hjul |
Emballage: | Skær bånd |
Emballage: | MouseReel |
Mærke: | onsemi |
Konfiguration: | Enkelt |
Efterårstid: | 50 amerikanske |
Produkttype: | MOSFET |
Opstigningstid: | 120 amerikanske |
Serie: | NCV8402A |
Fabrikspakke antal: | 1000 |
Underkategori: | MOSFET'er |
Transistortype: | 2 N-kanal |
Typisk forsinkelsestid for sluk: | 20 amerikanske |
Typisk tændingsforsinkelse: | 25 amerikanske |
Enhedsvægt: | 0,008818 oz |
♠ Selvbeskyttet lavsidedriver med temperatur- og strømgrænse NCV8402, NCV8402A
NCV8402/A er en tre-terminals beskyttet Low-Side Smart Discrete-enhed. Beskyttelsesfunktionerne omfatter overstrøm, overtemperatur, ESD og integreret Drain-to-Gate-klemmefunktion til overspændingsbeskyttelse. Denne enhed tilbyder beskyttelse og er velegnet til barske bilmiljøer.
• Kortslutningsbeskyttelse
• Termisk nedlukning med automatisk genstart
• Overspændingsbeskyttelse
• Integreret klemme til induktiv omskiftning
• ESD-beskyttelse
• NCV8402AMNWT1G − Produkt til befugtelige flanker
• dV/dt Robusthed
• Analog drevfunktion (logisk niveauindgang)
• NCV-præfiks til bilindustrien og andre applikationer, der kræver unikke krav til ændring af placering og kontrol; AEC-Q101-kvalificeret og PPAP-kompatibel
• Disse enheder er blyfri og overholder RoHS
• Skift en række forskellige resistive, induktive og kapacitive belastninger
• Kan erstatte elektromekaniske relæer og diskrete kredsløb
• Bilindustrien / Industri