NTMFS5C628NLT1G MOSFET RENCH 6 60V NFET
♠ Produktbeskrivelse
| Produktegenskab | Attributværdi |
| Fabrikant: | onsemi |
| Produktkategori: | MOSFET |
| Teknologi: | Si |
| Monteringsstil: | SMD/SMT |
| Pakke/etui: | SO-8FL-4 |
| Transistor polaritet: | N-kanal |
| Antal kanaler: | 1 kanal |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Id - Kontinuerlig drænstrøm: | 150 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2,4 mOhm |
| Vgs - Gate-Source Spænding: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1,2 V |
| Qg - Gate Charge: | 52 nC |
| Minimum driftstemperatur: | -55 C |
| Maksimal driftstemperatur: | + 175 C |
| Pd - Effekttab: | 3,7 W |
| Kanaltilstand: | Forbedring |
| Emballage: | Spole |
| Emballage: | Klip tape |
| Emballage: | Musehjul |
| Mærke: | onsemi |
| Konfiguration: | Enkelt |
| Efterårstid: | 70 ns |
| Fremadgående transkonduktans - min.: | 110 S |
| Produkttype: | MOSFET |
| Tid til at stå op: | 150 ns |
| Fabrikspakkemængde: | 1500 |
| Underkategori: | MOSFET'er |
| Transistor type: | 1 N-kanal |
| Typisk slukningsforsinkelse: | 28 ns |
| Typisk startforsinkelse: | 15 ns |
| Enhedsvægt: | 0,006173 oz |
• Lille fodaftryk (5×6 mm) for kompakt design
• Lav RDS(on) for at minimere ledningstab
• Lav QG og Kapacitans for at minimere førertab
• Disse enheder er Pb−fri og er RoHS-kompatible
