SI7461DP-T1-GE3 MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
♠ Produktbeskrivelse
Produktegenskab | Attributværdi |
Fabrikant: | Vishay |
Produktkategori: | MOSFET |
RoHS: | detaljer |
Teknologi: | Si |
Monteringsstil: | SMD/SMT |
Pakke/etui: | SOIC-8 |
Transistor polaritet: | P-kanal |
Antal kanaler: | 1 kanal |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
Id - Kontinuerlig drænstrøm: | 5,7 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 42 mOhm |
Vgs - Gate-Source Spænding: | - 10 V, + 10 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
Qg - Gate Charge: | 24 nC |
Minimum driftstemperatur: | -55 C |
Maksimal driftstemperatur: | + 150 C |
Pd - Effekttab: | 2,5 W |
Kanaltilstand: | Forbedring |
Handelsnavn: | TrenchFET |
Emballage: | Spole |
Emballage: | Klip tape |
Emballage: | Musehjul |
Mærke: | Vishay Semiconductors |
Konfiguration: | Enkelt |
Efterårstid: | 30 ns |
Fremadgående transkonduktans - min.: | 13 S |
Produkttype: | MOSFET |
Tid til at stå op: | 42 ns |
Serie: | SI9 |
Fabrikspakkemængde: | 2500 |
Underkategori: | MOSFET'er |
Transistor type: | 1 P-kanal |
Typisk slukningsforsinkelse: | 30 ns |
Typisk startforsinkelse: | 14 ns |
Del # Aliaser: | SI9435BDY-E3 |
Enhedsvægt: | 750 mg |
• TrenchFET® power MOSFET'er
• Lav termisk modstand PowerPAK®-pakke med lav 1,07 mm profilEC