VNLD5090TR-E Gate-drivere OMNIFET III beskytter fuldt ud lo-side drvr
♠ Produktbeskrivelse
| Produktegenskab | Attributværdi |
| Fabrikant: | STMicroelectronics |
| Produktkategori: | Gate-drivere |
| RoHS: | detaljer |
| Produkt: | Driver IC'er - forskellige |
| Type: | Lavside |
| Monteringsstil: | SMD/SMT |
| Pakke/etui: | SOIC-8 |
| Antal chauffører: | 1 driver |
| Antal udgange: | 2 Udgang |
| Udgangsstrøm: | 18 A |
| Forsyningsspænding - min.: | 4,5 V |
| Forsyningsspænding - Max: | 5,5 V |
| Tid til at stå op: | 10 os |
| Efterårstid: | 2,7 os |
| Minimum driftstemperatur: | -40 C |
| Maksimal driftstemperatur: | + 150 C |
| Serie: | VNLD5090-E |
| Kvalifikation: | AEC-Q100 |
| Emballage: | Spole |
| Emballage: | Klip tape |
| Emballage: | Musehjul |
| Mærke: | STMicroelectronics |
| Maksimal slukningsforsinkelse: | 3,4 os |
| Maksimal startforsinkelse: | 8 os |
| Fugt følsom: | Ja |
| Driftsforsyningsstrøm: | 30 uA |
| Produkttype: | Gate-drivere |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 90 mOhm |
| Lukke ned: | Lukke ned |
| Fabrikspakkemængde: | 2500 |
| Underkategori: | PMIC - Power Management IC'er |
| Teknologi: | Si |
| Enhedsvægt: | 150 mg |
♠ OMNIFET III fuldt beskyttet lavside-driver til bilapplikationer
VNLD5090-E er en monolitisk enhed fremstillet ved hjælp af STMicroelectronics® VIPower® teknologi, beregnet til at drive resistive eller induktive belastninger med den ene side forbundet til batteriet.Indbygget termisk nedlukning beskytter chippen mod overtemperatur og kortslutning.Udgangsstrømbegrænsning beskytter enheden i en overbelastningstilstand.I tilfælde af langvarig overbelastning begrænser enheden den afgivne effekt til et sikkert niveau op til termisk nedlukningsintervention. Termisk nedlukning med automatisk genstart gør det muligt for enheden at genoprette normal drift, så snart en fejltilstand forsvinder.Hurtig afmagnetisering af induktive belastninger opnås ved sluk.
·AEC-Q100 kvalificeret
·Afløbsstrøm: 13 A
·ESD-beskyttelse
·Overspændingsklemme
·Termisk nedlukning
·Strøm- og effektbegrænsning
·Meget lav standbystrøm
·Meget lav elektromagnetisk følsomhed
·I overensstemmelse med det europæiske direktiv 2002/95/EC
