CSD88537ND MOSFET 60-V Dual N-Channel Power MOSFET
♠ Produktbeskrivelse
| Produktegenskab | Attributværdi |
| Fabrikant: | Texas Instruments |
| Produktkategori: | MOSFET |
| RoHS: | detaljer |
| Teknologi: | Si |
| Monteringsstil: | SMD/SMT |
| Pakke/etui: | SOIC-8 |
| Transistor polaritet: | N-kanal |
| Antal kanaler: | 2 kanal |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Id - Kontinuerlig drænstrøm: | 16 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 15 mOhm |
| Vgs - Gate-Source Spænding: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2,6 V |
| Qg - Gate Charge: | 14 nC |
| Minimum driftstemperatur: | -55 C |
| Maksimal driftstemperatur: | + 150 C |
| Pd - Effekttab: | 2,1 W |
| Kanaltilstand: | Forbedring |
| Handelsnavn: | NexFET |
| Emballage: | Spole |
| Emballage: | Klip tape |
| Emballage: | Musehjul |
| Mærke: | Texas Instruments |
| Konfiguration: | Dobbelt |
| Efterårstid: | 19 ns |
| Højde: | 1,75 mm |
| Længde: | 4,9 mm |
| Produkttype: | MOSFET |
| Tid til at stå op: | 15 ns |
| Serie: | CSD88537ND |
| Fabrikspakkemængde: | 2500 |
| Underkategori: | MOSFET'er |
| Transistor type: | 2 N-kanal |
| Typisk slukningsforsinkelse: | 5 ns |
| Typisk startforsinkelse: | 6 ns |
| Bredde: | 3,9 mm |
| Enhedsvægt: | 74 mg |
♠ CSD88537ND Dual 60-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
Denne dobbelte SO-8, 60 V, 12,5 mΩ NexFET™ power MOSFET er designet til at fungere som en halvbro i lavstrømsmotorstyringsapplikationer.
• Ultra-Lav Qg og Qgd
• Lavine vurderet
• Pb Gratis
• RoHS-kompatibel
• Halogenfri
• Halvbro til motorstyring
• Synchronous Buck Converter
