FDC6303N MOSFET SSOT-6 N-CH 25V

Producenter: ON Semiconductor

Produktkategori: Transistorer – FET'er, MOSFET'er – Arrays

Datablad:FDC6303N

Beskrivelse: MOSFET 2N-CH 25V 0,68A SSOT6

RoHS-status: RoHS-kompatibel

Produktdetaljer

Produktegenskab	Attributværdi
Fabrikant:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET
RoHS:	detaljer
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Pakke/etui:	SSOT-6
Transistor polaritet:	N-kanal
Antal kanaler:	2 kanal
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	25 V
Id - Kontinuerlig drænstrøm:	680 mA
Rds On - Drain-Source Resistance:	450 mOhm
Vgs - Gate-Source Spænding:	- 8 V, + 8 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	650 mV
Qg - Gate Charge:	2,3 nC
Minimum driftstemperatur:	-55 C
Maksimal driftstemperatur:	+ 150 C
Pd - Effekttab:	900 mW
Kanaltilstand:	Forbedring
Emballage:	Spole
Emballage:	Klip tape
Emballage:	Musehjul
Mærke:	onsemi / Fairchild
Konfiguration:	Dobbelt
Efterårstid:	8,5 ns
Fremadgående transkonduktans - min.:	0,145 S
Højde:	1,1 mm
Længde:	2,9 mm
Produkt:	MOSFET lille signal
Produkttype:	MOSFET
Tid til at stå op:	8,5 ns
Serie:	FDC6303N
Fabrikspakkemængde:	3000
Underkategori:	MOSFET'er
Transistor type:	2 N-kanal
Type:	FET
Typisk slukningsforsinkelse:	17 ns
Typisk startforsinkelse:	3 ns
Bredde:	1,6 mm
Del # Aliaser:	FDC6303N_NL
Enhedsvægt:	0,001270 oz