IXFA22N65X2 MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2

Kort beskrivelse:

Producenter: IXYS
Produktkategori: Transistorer – FET'er, MOSFET'er – Enkelte
Datablad:IXFA22N65X2
Beskrivelse: MOSFET N-CH 650V 22A TO-263
RoHS-status: RoHS-kompatibel

Send e-mail til os

Produktdetaljer

Produkt Tags

♠ Produktbeskrivelse

Produktegenskab	Attributværdi
Fabrikant:	IXYS
Produktkategori:	MOSFET
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Pakke/etui:	TO-263-3
Transistor polaritet:	N-kanal
Antal kanaler:	1 kanal
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Id - Kontinuerlig drænstrøm:	22 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	160 mOhm
Vgs - Gate-Source Spænding:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2,7 V
Qg - Gate Charge:	38 nC
Minimum driftstemperatur:	-55 C
Maksimal driftstemperatur:	+ 150 C
Pd - Effekttab:	360 W
Kanaltilstand:	Forbedring
Handelsnavn:	HiPerFET
Emballage:	Rør
Mærke:	IXYS
Konfiguration:	Enkelt
Efterårstid:	10 ns
Fremadgående transkonduktans - min.:	8 S
Produkttype:	MOSFET
Tid til at stå op:	35 ns
Serie:	650V Ultra Junction X2
Fabrikspakkemængde:	50
Underkategori:	MOSFET'er
Typisk slukningsforsinkelse:	33 ns
Typisk startforsinkelse:	38 ns
Enhedsvægt:	0,139332 oz